技术编号：22580136
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及存储器领域，尤其是涉及一种u形铁电场效应晶体管存储单元串、存储器及制备方法。背景技术铁电场效应晶体管(fefet)是以铁电薄膜材料替代场效应晶体管(mosfet)中的栅介质层，通过改变铁电薄膜材料的极化方向来控制沟道电流的导通和截止，从而实现信息的存储。fefet存储器具有非易失性、低功耗、读写速度快等优点，且单元结构简单，理论存储密度大。特别地，fefet可以实现三维集成，被认为是最有潜力的高密度新型存储器之一。目前，经过研究现有三维fefet存储器的不足之处是：现有的铁电薄膜层及其...
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