技术编号:22682526
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明实施例是有关于一种半导体装置,且特别有关于一种绝缘层上半导体(semiconductoroninsulator,soi)装置。背景技术半导体装置可被广泛地使用于各种应用中。举例而言,半导体装置可被用来作为作成整流器、振荡器、发光器、放大器、测光器等。随着科技的进步,半导体产业遂发展出一种绝缘层上半导体(semiconductoroninsulator,soi)装置,其具有较易提升时脉,并减少电流漏电成为省电的集成电路(integratedcircuit,ic),在工艺上可省略部分掩膜以节省...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。