技术编号:22735122
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于碳化硅(sic)陶瓷的制备技术领域,尤其涉及一种原位反应生长sic纳米线增韧sic陶瓷的制备方法。背景技术sic陶瓷表现出优异的高温力学性能,作为航空航天热结构部件使用具有极大的应用潜力。但由于sic陶瓷的固有脆性,在实际应用中极易开裂失效。当前,固有脆性已成为制约sic陶瓷广泛应用的瓶颈问题。针对这一问题,国内外研究者提出了许多解决方法,在sic陶瓷制备过程中引入弥散分布的纳米尺度增韧相,是改善其韧性的有效手段。相较于块体sic,sic纳米线具有更加优异的力学性能,其特有的高强度、室...
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