半导体器件的制作方法技术资料下载

技术编号:22801314

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本公开的示例实施方式涉及半导体器件,更具体地,涉及金属-绝缘体-金属(mim)电容器。背景技术随着半导体器件(例如动态随机存取存储器(dram)器件)的集成密度提高,半导体器件中的单位单元的面积减小,因此半导体器件中的一个或更多个电容器的面积也减小。然而,为了集成半导体器件,会希望增大电容器的电容。当电容器的电容器电介质层的厚度减小以增大电容器的电容时,电容器的泄漏电流会增大。因此,高电介质层可以用作电容器的电容器电介质层。然而,当高电介质层用作电容器中的电容器电介质层时,在电容器的上电极由多晶...
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