技术编号：22801314
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本公开的示例实施方式涉及半导体器件，更具体地，涉及金属-绝缘体-金属(mim)电容器。背景技术随着半导体器件(例如动态随机存取存储器(dram)器件)的集成密度提高，半导体器件中的单位单元的面积减小，因此半导体器件中的一个或更多个电容器的面积也减小。然而，为了集成半导体器件，会希望增大电容器的电容。当电容器的电容器电介质层的厚度减小以增大电容器的电容时，电容器的泄漏电流会增大。因此，高电介质层可以用作电容器的电容器电介质层。然而，当高电介质层用作电容器中的电容器电介质层时，在电容器的上电极由多晶...
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