技术编号：22801363
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本公开属于半导体技术领域，具体涉及一种dram存储单元及其制造方法、存储单元阵列、芯片。背景技术目前，在dram(dynamicrandomaccessmemory，动态随机存取存储器)的存储单元中，晶体管的栅极通常采用埋栅结构，即在晶圆表面之下形成沟槽，在沟槽内填充栅极的各层膜质形成埋栅。但随着半导体技术的发展，半导体器件的集成度越来越高，尺寸越来越小，需要使用极细微尺寸的电路结构图形(pattern)。而在细微尺寸的限制下，实施形成晶圆表面之下的沟槽构造和在沟槽内填充绝缘膜质的工艺困难，导致...
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