技术编号:22801505
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于电子电路技术领域,涉及电容技术,尤其涉及一种降低寄生电容的mos电容和降低mos电容寄生电容的优化方法。背景技术mos电容主要由mos管内部栅氧化层电容和栅极与衬底间形成的耗尽区电容组成,因而具有较高的电容密度,为4-12ff/um2。制作mos电容和普通的mosfet工艺流程一致,不需要额外的掩模层,制作成本最低。但是,受制作工艺的影响,mos电容器的下极板与衬底之间会存在较大的寄生电容,比例因子α高达10%-20%,这也严重制约了mos电容的应用空间。这样的mos电容被使用在各种模...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。