技术编号：22801531
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本申请涉及光子集成器件技术领域，特别涉及一种锗硅雪崩光电探测器及其制作方法。背景技术目前雪崩光电探测器因其高灵敏度，被广泛引用于接入网、5g承载光模块中。硅基光电子集成技术可以实现多种功能器件高密度、低成本的集成，并通过标准的硅基工艺实现大规模的生产，近年来得到快速发展。当前，锗硅光电探测器已经可以集成在硅基光电子集成芯片中，然而将雪崩光电探测器集成进入硅基光电子集成芯片仍存在较大的挑战。相关技术中，雪崩光电探测器主要采用层叠结构，需要多层材料生长工艺，与目前常见的硅光晶圆代工厂的工艺不兼容，严...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。