技术编号：22838459
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体高阶制程蚀刻装置硅部件的再生清洗和返修领域，特别涉及一种半导体高阶制程蚀刻装置硅部件的再生清洗和返修方法。备注：高阶制程是28nm以下制程。背景技术在半导体器件的制造工艺中，随着制程越来越高，对设备中部件质量(外观和离子水平)要求越来越高，在介电质等离子蚀刻过程中，在高阶制程中常常使用硅作为设备中部件的基材，由于使用高阶制程需要，对硅部件再生和返修提出了新的需求。上述硅部件的表面接触到等离子和蚀刻气体而损耗，并且产生粒子，产生的粒子可能会污染晶圆。上述等离子蚀刻装置反应室内部还配...
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