技术编号：22883767
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及led技术领域，更具体地说，涉及一种具有外延插入层的led芯片及其制作方法。背景技术gan作为第三代半导体材料，其应用非常广泛，比如固体照明、液晶显示背光源和汽车灯等。众所周知，对于led发光效率的提升是业内人士追求的永恒目标。然而，首先ingan/gan的led由于晶格失配比较大，导致极化效应比较强，使电子和空穴的波函数空间分离，减少电子空穴的复合几率，进而减少发光效率。其次，由于空穴的迁移率远低于电子的迁移率，因此空穴在量子阱中的迁移扩散长度有限，也是限制led光效的主要因素。最后...
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