技术编号:22920876
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体技术领域,具体涉及一种具有相同栅源掺杂的场效应晶体管、元胞结构。背景技术随着材料技术的发展与成熟,sic材料的宽禁带特性使其具有更高的温度特性和耐压特性,可以突破si基器件的限制。由于sic/sio2界面的性能和可靠性仍需要进一步的提高,sic结型场效应晶体管(junctionfieldeffecttransistor,jfet)器件结构受到了广泛的关注。sicjfet除了避免sic/sio2界面缺陷带来的问题,更容易减小元胞尺寸带来更低的导通电阻。由于sio2在高温下会激发更多...
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