技术编号:23005657
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体领域,特别涉及一种半导体外延结构及其应用与制造方法。背景技术由于第三代半导体材料,例如氮化镓或碳化硅,具有大禁带宽度、高电子饱和速率、高击穿电场、较高热导率、耐腐蚀以及抗辐射性能等优点,从而可以作为半导体材料,而获得半导体外延结构。但是在第三代半导体材料,例如氮化镓作为半导体外延结构时,仍具有多种问题,例如晶格失配等问题等问题。发明内容鉴于上述现有技术的缺陷,本发明提出一种半导体外延结构及其应用与制造方法,以降低氮化镓与硅之间的晶格失配,提高所述半导体外延结构的质量。为实现上述目...
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