技术编号：23005952
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及材料领域，特别涉及一种介质层辅助的厚片周期极化铁电晶体制备方法。背景技术基于准相位匹配技术的周期极化铌酸锂(ppln)晶体因其具有非常大的非线性系数，灵活的设计性和宽通光范围，成为一种重要的非线性光学材料。但是，铌酸锂晶体的抗损伤能力比较低，即使通过掺杂/近化学计量比生长等技术，仍然不能满足大功率密度非线性光学频率转换的需求。现有的解决方案是通过大的通光孔径来实现大功率的激光产生。但是大厚度的周期极化铌酸锂晶体制备及其困难，目前高质量的周期极化铌酸锂最大的制备厚度只有2mm，且仅掌握在...
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