技术编号：23091178
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明关于在半导体装置制造步骤使用的有机膜形成用材料、使用有该材料的半导体装置制造用基板、有机膜的形成方法、以及利用多层抗蚀剂法所为的图案形成方法。背景技术以往，半导体装置的高集成化与高速化是利用作为通用技术的使用光曝光的光刻技术(光学光刻)中的光源的短波长化所获致的图案尺寸的微细化来达成的。为了将如此的微细的电路图案形成于半导体装置基板(被加工基板)上，通常会使用将形成有图案的光致抗蚀剂膜作为蚀刻掩膜并利用干蚀刻对被加工基板进行加工的方法。但是，现实上并不存在能于光致抗蚀剂膜与被加工基板之间取...
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