技术编号：23100867
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本公开内容大体上涉及半导体器件，并且更特别地涉及用于半导体器件的增强材料和制造技术。背景提出了结构和技术来增强半导体器件的性能，例如通过增强载流子的迁移率。例如，currie等人的美国专利申请号2003/0057416公开了硅、硅-锗和弛豫硅的应变材料层并且应变材料层还包括无杂质区域(否则将引起性能劣化)。在上部硅层中产生的双轴应变改变载流子迁移率，使较高速度和/或较低功率的器件成为可能。fitzgerald等人已公布的美国专利申请号2003/0034529公开了也基于类似应变硅技术的cmos逆...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。