技术编号：23155493
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种模块级电路瞬时剂量率效应仿真测试方法，属于集成电路辐射效应仿真测试技术领域。背景技术随着半导体工艺进入纳米工艺，器件的灵敏体积不断缩小，工作电压和器件电容下降导致临界电荷持续变小，而寄生效应却不断增大，导致电路对瞬时剂量率效应的响应出现了与大尺寸器件电路不同的特点。集成电路的性能指标越来越高，规模也越来越大，电路结构也日趋复杂，影响剂量率辐射效应的因素很多并且相互影响，瞬时剂量率辐射会对集成电路产生不同程度的影响，产生扰动、翻转、闩锁甚至烧毁等问题。因此对复杂电路产生的剂量率辐射响...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
请注意，此类技术没有源代码，用于学习研究技术思路。