技术编号:23356121
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于碳化硅陶瓷先驱体领域,尤其是涉及一种新型液态碳化硅陶瓷先驱体的制备方法。背景技术聚碳硅烷作为碳化硅陶瓷材料的先驱体,直接决定了碳化硅陶瓷材料的性能。目前,已经工业化的聚碳硅烷是由聚二甲基硅烷高温裂解而得。但是该路线制备的聚碳硅烷硅氢含量低,由化学方法测得硅氢键含量为0.7~0.8%,而硅氢键的理论含量为1.72%,实际测量值远低于理论值(宋麦丽,傅利坤.sic先驱体——聚碳硅烷的应用研究进展[j].中国材料进展,2013,032(004):243-248.)。归根到底,是聚二甲基硅烷高...
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