技术编号:23570761
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。【技术领域】本实用新型涉及射频电容技术领域,尤其涉及一种mems电容式开关及电子设备。【背景技术】在rfmems(rf:射频,mems:微机电系统)电容式开关的结构设计中,关/开态电容比和电容密度是评估其rf性能的两项重要指标。目前,现有的rfmems电容式开关通常采用两种技术方案,其一是金属膜桥与电容上极板之间的正对面积可调节,故可根据需要单独对开态和关态电容值进行调节,但该方案需要反复调节才能够得到高关态电容;其二是将电容开关的rf有效电极及活动梁中与有效电极正对的下表面,均设计成弧形,此时...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。