技术编号:23589144
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于在衬底上产生薄无机膜的方法的领域,特别是原子层沉积工艺。随着例如半导体工业中的小型化的发展,对衬底上的薄无机膜的需求增加,同时对该膜的质量要求变得更加严格。薄金属或半金属膜用于不同的目的,例如阻挡层、导电特征或覆盖层。已知有数种用于产生金属或半金属膜的方法。其中之一是在衬底上从气态沉积成膜化合物。为了在中等温度下使金属或半金属原子变为气态,必须提供挥发性前体,例如通过金属或半金属与合适配体的络合。为了将沉积的金属或半金属络合物转化为金属或半金属膜,通常需要将沉积的金属或半金属络合物暴露...
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