技术编号:23621821
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于忆阻器制备领域,具体涉及基于溶液法的氧化硅基忆阻器及其制备方法与应用。背景技术1971年,蔡少堂教授(ieeetransactionsoncircuittheory,1971,18(5):507-519)首次从电路理论角度提出除电阻、电容、电感外,还存在第四种无源电子器件,用于表征电荷与磁通量之间关系,并将其命名为忆阻器(memristor)。他预测忆阻器的电阻值会随外界电刺激发生可逆转变,从而记录下流经的电荷和磁通。这一推测引起科学家的极大关注,围绕忆阻器的机理、制备和应用,研究者开...
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