技术编号：23709737
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体集成电路制造领域，特别涉及一种半导体器件及其形成方法。背景技术随着半导体制造技术的飞速发展，半导体器件为了达到更快的运算速度。更大的数据存储量以及更多的功能，半导体器件朝向更高的元件密度、高集成度方向发展，对其物理结构和制造工艺的要求也越来高。一般而言,一个工艺平台如果能提供更多样的器件选择,可以帮助简化设计从而降低成本。通常情况下，在半导体器件中，如果在设计中使用较低的阈值电压(vt)的器件，可以通过改变有源区(act)和栅极尺寸的方式使半导...
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