技术编号:23720850
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及单晶硅生长领域,尤其涉及一种水冷热屏结构、单晶硅生长装置以及单晶硅生长方法。背景技术目前直拉法或直拉区熔结合法制备太阳能用单晶硅过程中,为了提升单位时间的产出量,提升单晶硅生长速度是需要克服的关键问题。单晶硅生长速度受结晶界面附近的晶体的纵向温度梯度影响比较大,结晶界面附近的晶体的温度梯度越大,单晶硅生长越快。由于硅从液态转化为固态需要释放大量的热,那么增加结晶界面附近的晶体的纵向温度梯度的一种方式是使晶体能够快速散热。目前主要通过水冷热屏结构为晶体散热。[...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。