技术编号:23728208
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。刻蚀后脱氟工艺优先权声明本申请要求于年月日提交的名称为“post etch defluorination process(刻蚀后脱氟工艺)”的美国临时申请系列号/,的优先权的权益,其为了所有目的通过引用并入本文。技术领域本公开大体上涉及半导体处理,并且更具体地,涉及在半导体处理中的等离子体剥离工艺之前实施的刻蚀后脱氟工艺。背景技术在半导体制造期间,等离子体剥离工艺(例如,干式剥离工艺)可作为用于去除图案化在工件上的光致...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。