技术编号：23753457
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及二极管技术领域，特别涉及一种雪崩光电二极管的制造方法。背景技术随着微电子技术的发展，雪崩光电二极管器件得到广泛的使用。由于雪崩光电二极管技术具有内部高增益、低漏电、高速响应等特性的优点，已逐渐成为制造高速，低功耗、高可靠性集成电路的主流。研制出高灵敏apd芯片，打破国际上对我国的垄断，满足我国在军事、航天、医疗等仪器对高灵敏apd的迫切需求，提升我国在微弱信号感知、高灵敏apd产业的实力，其中雪崩光电二极管的使用也越来越受到重视。随着无人驾驶和激光测...
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