技术编号：23753616
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种栅极氧化层的形成方法。背景技术随着集成电路制造技术的迅速发展，晶体管的图形尺寸在不断缩小。而晶体管的性能依赖于栅极氧化层的厚度。栅极氧化层厚度的降低，增强了晶体管的电流驱动能力，提高了速度和功率特性。因此在工艺缩减中降低栅极氧化层厚度可以有效地提高晶体管性能，然而薄的氧化层会加重电流遂穿效应以及氧化层界面陷阱会引起载流子迁移率降低，并最终降低栅极氧化层的可靠性。目前，为了保证栅极氧化层的质量，在整个半导体晶圆工艺制造流程中...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。