技术编号：23802234
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种半导体结构及其制备方法。背景技术闪存(flash memory)是一种非易失性存储器，在没有电流供应的条件下也能够长久地保持数据，即断电数据也不会丢失。闪存主要分为nor和nand两种类型，通常称为nor flash和nand flash。其中，nor flash，也称为编码型快闪记忆体。因为具备可直接执行代码、可靠性强、读取速度快等特性，从而成为闪存技术中主流的非易失性存储器。在实际应用中，闪存中需要用到一些电阻结构。其中，这些电阻...
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