技术编号：23808647
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。示例实施方式涉及垂直存储器件和制造垂直存储器件的方法，更具体地，涉及垂直nand闪速存储器件和制造垂直nand闪速存储器件的方法。背景技术垂直nand(vnand)闪速存储器件包括垂直地堆叠在衬底上的多个存储单元，因此vnand存储器件的存储容量可以增加。存储单元可以在单个垂直沟道周围堆叠，并且多个垂直沟道可以提供在vnand存储器件中。因为vnand存储器件的存储容量取决于垂直沟道的数量，所以研究了用于增加vnand存储器件中的单元块中的垂直沟道的数量的各种...
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