技术编号:23814713
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。半导体器件及其制造方法相关申请的交叉引用于年月日提交的日本专利申请no.-的公开内容(包括说明书、附图和摘要),通过整体引用并入本文。背景技术本发明涉及一种半导体器件以及制造半导体器件的方法,并且更特别地,本发明涉及一种用于半导体器件及其制造方法的技术,该半导体器件被用作使用铁电膜的存储器器件。近年来,已经开发了使用铁电层的铁电存储器单元作为在低电压下操作的半导体存储器器件。铁电存储器单元是非易失性存储器单元,其通...
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