技术编号:23849311
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。d存储器件的制造方法及其d存储器件技术领域本发明涉及存储器件技术领域,特别涉及一种d存储器件的制造 方法及其d存储器件。背景技术存储器件的存储密度的提高与半导体制造工艺的进步密切相关。随 着半导体制造工艺的特征尺寸(cd)越来越小,存储器件的存储密度越 来越高。为了进一步提高存储密度,已经开发出三维结构的存储器件(即, d存储器件)。d存储器件包括沿着垂直方向堆叠的多个存储单元,在 单位面积的晶片上可以成倍地提高集成度,并且可以降低成本。现有的d...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。