技术编号:23853843
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于硅片制备领域,特别是涉及一种单晶生长方法及单晶生长设备。背景技术直拉法是现有的一种常用的单晶生长方法,又称为切克劳斯基法,简称cz法。cz法的 特点是在一个直筒型的炉体中,用石墨电阻加热,将装在高纯度石英坩埚中的多晶硅熔化, 然后将籽晶插入熔体表面进行熔接,同时转动籽晶,再反转坩埚,籽晶缓慢向上提升,经过 引晶、放肩、转肩、等径生长、收尾等过程,最终长成所需直径和长度的晶棒。半导体硅单晶生长过程中,在恒定条件下,随着等径的长度不断增加,导致坩埚的位置...
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