技术编号:23869230
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及像素电路的设计方案,尤其涉及一种能够提供双栅驱动结构的tft的电路结构及制作方法。背景技术目前非晶态金属氧化物半导体发展迅速。其中,非晶ingazno(igzo)凭借其简单的制备工艺以及优异的光电学性能而成为tft制备的理想材料,以其制备的tft有着高迁移率、高开关比等特点,具有替代a-si的潜力。较a-si tft相比,igzo-tft的载流子迁移率可以达到~cm/v·s,大大提高tft对像素电极的充放电效率和响应速度。更为重要的是,igzo制程...
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