技术编号：23889627
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。与示例实施方式一致的器件和方法涉及包括阻挡层的半导体器件及形成该半导体器件的方法。背景技术已经对包括在磁隧道结(mtj)结构上的上绝缘层和上互连的半导体器件进行了研究。形成上互连的工艺可以包括多个等离子体蚀刻工艺。在形成上互连的工艺中，mtj结构可能被损坏。发明内容本发明构思的示例实施方式针对提供有利于提高批量生产效率并且具有优异的电性能的半导体器件，以及形成该半导体器件的方法。根据示例实施方式，提供了一种半导体器件，该半导体器件包括在衬底上的层间...
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