技术编号:23914640
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及碳化硅器件封装领域,尤其涉及一种高导热率碳化硅器件封装结构。背景技术碳化硅功率半导体器件通常包括硅芯片,半导体电路、电路基板及热沉。碳化硅半导体器件可以在℃~℃的温度下稳定地操作,可以显着增加功率器件的输出。电路基板具有绝缘性,由导热率较高的氮化铝等组成。热沉具有较高导热率并确保更容易大面积制造的散热器件,例如cu,al,cu-mo或cu-w。使用粘接剂和焊料等将各部件粘接。金属层位于芯片和热沉之间,承担着散热过渡和应力过渡的双重作用,铜的线性热...
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