技术编号:24050618
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本公开涉及碳化硅器件,特别地涉及具有晶体管单元的碳化硅开关。背景技术用于变换电能的电路,例如在dc/ac转换器、ac/ac转换器或ac/dc转换器中以及在驱动电感负载的电路中,例如在电机驱动器电路中,可以包括作为开关的功率半导体器件。切换重电感负载可能触发lc振荡。另一方面,碳化硅(sic)的电介质击穿场强与硅相比为高。对于相同的标称阻塞电压(blocking voltage)能力,sic器件可以比等效硅器件显著薄,并且因此,sic器件的导通状态电阻可以显著更低。[...
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