技术编号:24051165
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请涉及半导体加工领域,特别涉及一种半导体工艺设备及其法拉第杯。背景技术等离子体浸没离子注入系统不同于利用加速电场及离子质荷比特性得到目标能量离子的束线离子注入系统(beam-line ion implantation system),等离子体浸没离子注入系统是将需要被掺杂的目标物直接浸没在包含掺杂剂的等离子体中,并通过给目标物施加特定负电压,使等离子体中的掺杂剂离子进入到目标物表面。然而随着集成电路制程工艺的不断发展,尤其是进入到nm、nm甚至nm制程阶段,基片...
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