技术编号：24154436
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体设备制造技术领域，特别涉及改善等离子体均一分布的技术领域。背景技术等离子体反应器是半导体芯片加工的关键装备，广泛用于处理半导体基片以制造集成电路。在基片上形成有图案化的微电子层，在基片处理过程中，经常使用等离子体在基片上沉积薄膜或者刻蚀该薄膜上的预定部分。具体方法是首先将基片固定放置在等离子反应腔内；接着通过射频功率发射装置发射射频能量到等离子体反应腔内形成射频场；然后各种反应气体(蚀刻气体或沉积气体)被注入到等离子反应腔中，在射频场的作用下注入的反应气体...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。