技术编号：24184067
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明属于陶瓷金属化领域，涉及一种氮化铝陶瓷电路板的制备方法，尤其是一种高精度、快速制备氮化铝陶瓷电路板的方法。背景技术.氮化铝(aln)陶瓷电路板具有很高的热导率、可靠的电绝缘性、低的介电常数和介电损耗以及无毒等优良特性，被广泛应用于大功率led、混合集成电路(hic)和多芯片模块(mcm)等技术领域。人们预计，在封装领域，aln陶瓷电路板最终将取代目前的alo和beo陶瓷。.氮化铝陶瓷电路板的基础是陶瓷表面金属化技术，其最初应用于陶瓷-金属封接，是将陶瓷材料与金属材料牢固连接的技...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
该类技术注重原理思路，无完整电路图，适合研究学习。