技术编号：24245502
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体发光器件技术领域，尤其是涉及一种n面出光为特定几何图形的algainp薄膜led芯片结构。背景技术与gaas晶格匹配的algainp材料可覆盖从560nm到650nm范围的可见光波长，是制备长波长led的优良材料。目前全彩显示中的红光主要来源于algainp薄膜led，其在显示、照明领域有着重要应用。随着社会的进步，vr/ar的兴起，led发光图形存在更加多样化的需求，尤其是特种指示、显示领域中，具有各种形状与文字的发光图形备受青睐。但是传统方案中实现特定发光图形，通常采用光遮挡...
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