技术编号：24290770
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于硅晶体材料单晶炉技术领域。背景技术现有技术的半导体技术领域中，需要使用硅单晶炉通过提拉法制备硅片。如公开号为105177701a的中国专利申请，即公开一种现有技术的硅单晶炉。其中晶体位于坩埚中制备，坩埚通过坩埚托盘设置在提拉轴上。坩埚外围为具有热场的炉体。坩埚上方设有热屏(即水冷屏)。该热屏同样位于热场内并且需要准确的定位在热场内及坩埚上方。当坩埚中的晶体柱向上提拉时会自下而上通过热屏，如果热屏的定位有偏差，则晶体柱容易与热屏产生碰撞而造成污染或者损坏；直接造成产品报废。但在实际操作中...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。