技术编号:24294342
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本公开一般地涉及半导体器件及其形成方法。背景技术金属氧化物半导体(mos)器件通常包括金属栅极,其被形成为解决传统多晶硅栅极中的多耗尽效应。当所施加的电场从靠近栅极电介质的栅极区域清除载流子时发生多晶硅耗尽效应,形成耗尽层。在n掺杂多晶硅层中,耗尽层包括电离的非移动供体位点,其中,在p掺杂多晶硅层中,耗尽层包括电离的非移动受体位点。耗尽效应导致有效栅极电介质厚度增加,使得更难在半导体的表面上形成反型层。金属栅极可以包括多个层以满足nmos器件和pmos器件的要求。金属栅极的形成通常涉及沉积多个金...
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