技术编号:24341457
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请是申请日为申请日为2015年8月31日、申请人为“住友电气工业株式会社”、发明名称为“碳化硅衬底和用于制造所述碳化硅衬底的方法”、申请号为201580055161.3的发明专利申请的分案申请。本公开涉及一种碳化硅衬底以及用于制造所述碳化硅衬底的方法。背景技术近年来,为了实现半导体器件中的高击穿电压、低损失等,已经开始采用碳化硅(sic)作为构成半导体器件的材料。在制造碳化硅衬底的过程中,抛光从碳化硅铸锭切片出的碳化硅衬底以使其的表面平滑,并且此后清洗碳化硅衬底。例如,ptd1(日本专利特开...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。