技术编号：2438045
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体存储器的记录材料，具体涉及一种低热导率的多层相变材 料。背景技术随着信息产业技术的迅速发展，人们对存储器的要求越来越高，常用的存储器分 为以下三种磁存储器、光存储器和半导体存储器，其中半导体存储器以其优良的性能被最 为广泛地使用。目前主流的半导体存储器是基于浮栅结构的闪存，但由于浮栅厚度的限制 其很难随着集成电路技术的进一步发展而突破32nm瓶颈，因而人们开始竞相研发以相变 存储器为代表的下一代存储器。相变存储器(PCRAM)是一种非易...
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