技术编号:24564028
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。【技术领域】本发明涉及集成电路领域,特别涉及一种电阻单元及采用该电阻单元的高精度电阻和采样电路。【背景技术】多晶硅电阻被广泛应用于各种芯片设计中,例如,可以用于采样电路中分压。现有技术中,多晶硅电阻通常设计在衬底(例如,p-sub)上,与衬底之间存在绝缘层(例如,氧化硅),如图1所示,其为现有技术中的一个多晶硅电阻的剖面示意图。图1中,斜线填充区域为多晶硅电阻110,最下面为p型衬底(p-sub)120,多晶硅电阻110和p型衬底(p-sub)120之间是氧化硅130。如图2所示,其为现有技术中...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。