技术编号:24576095
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及igbt扫频测试技术领域,具体为一种igbt模块扫频测试台。背景技术igbt,绝缘栅双极型晶体管,是由bjt(双极型三极管)和mos(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有mosfet的高输入阻抗和gtr的低导通压降两方面的优点,gtr饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大,mosfet驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小,igbt综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低,在igbt模块的生产过程中,需要对其进行扫频测试,来降低产品的...
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