技术编号：24626227
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明主要涉及半导体薄膜晶体管制备技术领域，具体涉及一种znsno薄膜晶体管的制备方法。背景技术非晶金属氧化物半导体薄膜晶体管（tft）已引起广泛关注，由于其在有源矩阵有机发光二极管（amoled）显示器领域存在广泛的应用前景。一系列的多化合物氧化物半导体，已被广泛用作具有高场效应迁移率tft器件，例如ingazno。但是铟是一种昂贵的资源稀缺元素，同时是一种对人类与环境不友好的元素。znsno（zto）半导体被认为是铟基氧化物有前途的替代品半导体。然而，ztotft有源层中的氧空位（vo）和氧...
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