技术编号：24637514
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路制造领域，特别是涉及一种用于版图dense-3bar-dense结构的光学临近效应修正方法。背景技术随着技术节点的降低，设计版图的关键尺寸(cd)和空间周期(pitch)越来越小，而且设计版图的结构也越来越复杂，因此在对版图进行光学临近效应修正的时候需要考虑周围的环境因素也越来越复杂。对于设计版图中单一的3bar结构而言，两侧独立的线(edgebar)在传统的光学临近效应修正规则中因为有足够的空间会通过重新定义目标(retarget)来确保足够的景深(dof)；中间的线(mid...
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