技术编号：24641702
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体设备制造和集成电路，更具体而言，涉及包括电性隔离的半导体结构以及形成包括电性隔离的半导体结构的方法。背景技术当使用块体半导体晶圆形成时，设备结构(例如射频开关)容易受到高电容和体对体泄漏(body-to-body leakage)的影响。可采取的降低敏感度的措施是用绝缘体上硅晶圆代替块体晶圆，其中，在提供设备结构的有源区域的主体和埋置绝缘层下方的基板的主体之间布设有埋置绝缘体层。另一种降低敏感度的措施是在设备结构的有源区域周围提供三阱隔离(triple well isolatio...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。