技术编号:24691534
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种氧化镓sbd器件及其制备方法技术领域.本发明属于半导体功率器件技术领域,涉及但不限于一种氧化镓sbd器件及其制备方法。背景技术.近年来,β‑ꢀgao作为发展起来的一种超宽禁带半导体材料,虽然采用μm厚的n型gao材料制备的垂直型肖特基二极管(sbd)能够降低器件的开关损耗,提高电机驱动器的性能,简化开关电源电路中的保护电路,但由于β‑ꢀgao材料难以实现p型掺杂,导致垂直型sbd器件无法使用终端耐压保护结构。因此垂直型β‑gaosbd器件如何实现较高击穿电压越来越受到...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。