技术编号:24971344
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体薄膜材料技术领域,主要是设计一种mocvd外延薄膜质量的优化生长方法。背景技术iii-v氮化物材料的研究与应用是当今世界半导体领域的前沿和热点,而iii-v氮化物材料中最典型的代表就是gan材料。gan材料由于其禁带宽度大、化学性质稳定、电子迁移率高以及导热性能良好等特性,能够被广泛地应用于光电半导体、高迁移率半导体等器件制备中。目前市场上常用的衬底材料有蓝宝石、sic、si、aln等。目前使用最广泛和技术最成熟的是蓝宝石衬底,然而蓝宝石衬底散热性差,大尺寸生长gan薄膜较为困难...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。