技术编号：24975867
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供一种制备方法，具体涉及一种基于石墨烯的二维异质结的制备方法。背景技术自首次在石墨烯及其双膜中观察到异常量子霍尔效应以来，衬底支撑石墨烯器件的质量并没有得到改善。在二氧化硅上，载流子迁移率受到来自带电表面状态的散射和缺陷、基片表面粗糙度和二氧化硅表面光学声子的限制。此外，在狄拉克点附近，底物诱导的无序将二维电子气体分解成一个不均匀的电子网络和空穴坑，而被困在衬底或石墨烯-衬底界面的带电杂质导致二维电子气体掺杂远离电荷中性。到目前为止，设计二氧化硅替代品的努力通常涉及到其他氧化物，而类似的...
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