技术编号:25012299
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及砷化镓技术领域,具体为一种砷化镓晶体生长设备。背景技术砷化镓可以制成电阻率比硅、锗高3个数量级以上的半绝缘高阻材料,用来制作集成电路衬底、红外探测器和γ光子探测器等,由于其电子迁移率比硅大5~6倍,故在制作微波器件和高速数字电路方面得到重要应用,用砷化镓制成的半导体器件具有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点。现有的砷化镓晶体生长设备结构功能较为复杂,在使用和操作的过程中都较为麻烦,使得操作人员需要花费较多的时间用来学习设备的使用,故而提出一种砷化镓晶体生长设备来解决...
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